icon LED歷史
          1950年代末,發光二極體(Light Emitting Diode, LED)於實驗室發展出來;1968年,HP開始商業化量
          產,早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈(見圖一);1992年,日亞(Nichia)突破藍光LED技術障
          礙後,逐漸衍生出多重色彩,亮度也大幅提高,並以顯示器(Display)、表面黏著型(SMD)等各種封
          裝型態深入生活中各個層面。








iconLED
原理

         LED是利用電能直接轉化為光能的原理,在半導體內正負極2個端子施加電壓,當電流通過,使電子與電
         洞相結合時,剩餘能量便以光的形式釋放,依其使用的材料的不同,其能階高低使光子能量產生不同波長
         的光,人眼所能接受到各種顏色的光,如圖二橫座標所示,其波長介於400-780奈米(nm),在此區間
         之外則為不可見光,包括紅外光及紫外光(UV)。

        多數LED被稱為III-V族化合物半導體,是由V族元素「氮」(N)、「磷」(P)、「砷」(As)等與Ⅲ族
        元素「鋁」(Al)、「鎵」(Ga)、「銦」(In)等結合而成,以與IC半導體所使用之「矽」(Si)等Ⅳ
        族元素區別。

        傳統「液相磊晶法」(Liquid Phase Epitaxy, LPE)與「氣相磊晶法」(Vapor Phase Epitaxy, VPE),以
      「磷化鎵」(GaP)或「砷化鎵」(GaAs)為基板,用於生產中低亮度LED及「紅外光紅外數據協會」
      (IrDa)晶粒,其亮度在1燭光(cd)約等於1000微燭光(mcd)以下。

     「有機金屬氣相磊晶法」(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED,其亮度約在
      6000-8000微燭光。以「鋁」、「鎵」、「銦」、「磷」四種元素為發光層材料在「砷化鎵」基板上磊晶
      者,發出紅、橙、黃光之琥珀色系,通稱為「四元LED」;以「氮化鎵」(GaN)為材料所生產的藍、綠光
      LED,則稱為「氮化物LED」,一般以「藍寶石」(Sapphire)為基板,美國大廠科銳(CREE)則發展出
      以「碳化矽」(SiC)為基板的製程。

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